Enviar mensaje
LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED
productos
productos
Hogar > productos > Transformadores magnéticos discretos > Solo transformador del LAN de Gigabit Ethernet SMD de la base-T del puerto L22H003-L 10G

Solo transformador del LAN de Gigabit Ethernet SMD de la base-T del puerto L22H003-L 10G

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: LINK-PP

Certificación: UL,RoHS,Reach,ISO

Número de modelo: L22H003-L

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 400/2000/10K/25K

Precio: $0.06-$3.2

Detalles de empaquetado: T&R

Tiempo de entrega: Común

Condiciones de pago: TT, días NET30/60/90

Capacidad de la fuente: 3KK/Month

Consiga el mejor precio
Punto culminante:

transformador del aislamiento del lan

,

poder sobre el transformador de Ethernet

Elemento:
L22H003-L
Interfaz:
Base-T 10G
Alternativa:
L22H003-L=>LPxxxNL
muestras:
Disponible
Ficheros:
PDF/3D/ISG/Stp/Step/Datasheet
Aplicación:
Productos inalámbricos EPON/GPON
Elemento:
L22H003-L
Interfaz:
Base-T 10G
Alternativa:
L22H003-L=>LPxxxNL
muestras:
Disponible
Ficheros:
PDF/3D/ISG/Stp/Step/Datasheet
Aplicación:
Productos inalámbricos EPON/GPON
Solo transformador del LAN de Gigabit Ethernet SMD de la base-T del puerto L22H003-L 10G
Solo transformador del LAN de Gigabit Ethernet SMD de la base-T del puerto L22H003-L 10G

 

ESPECIFICACIÓN:
1 diseñado para la base-T de Ethernet 10G, solos usos completos del puerto.

Pin 2 para fijar compatible por LINK-PP LPXXXNL

3 10G base – uso de Ethernet de los módulos del Magnetics de T
4 diseñó resolver IEEE 802,3.
La conformidad 5 con RoHS&Halogen libera requisitos.

 

Uso:

Terminaciones de 1 SCSI

2 productos de PCI Express

3 sensores de la pantalla táctil

4 módulos e instrumentos de la entrada-salida

 

Solo transformador del LAN de Gigabit Ethernet SMD de la base-T del puerto L22H003-L 10G 0

Especificaciones eléctricas @25℃ Tipo: Impedancia de paso bajo 100Ω de la balanza
Pérdida de inserción: DB 1-50MHz -0,5 máximo
DB 50-125MHz -1,0 máximo
DB 125-200MHz -2,0 máximo
Pérdida de vuelta: DB Minload 100Ω de 1~40MHz -20
DB Minload 100Ω de 40-200MHz -20+15*log (Freq MHz/40MHz)
Cm reflejado a la conversión de Diff (referencia) minuto del DB de 1MHz -30
minuto del DB de 50MHz -30
minuto del DB de 100MHz -27
minuto del DB de 200MHz -24
Cm a la conversión del DM (referencia) minuto del DB de 1-125MHz -35
Diff reflejado a la conversión del cm (referencia) minuto del DB de 1-10MHz -48
minuto del DB de 10-200MHz -48+19*log (Freq MHz/10MHz)
Cm a la atenuación del cm (referencia) minuto del DB de 1-200MHz -25
Charla cruzada (referencia) 1-125 minuto del DB del megaciclo -30
125-200 minuto del DB del megaciclo -25
Inductancia @ 100KHz, 0.1V, PREJUICIO 180uHMin de 8mA DC
Prueba de HiPot @ Vrms 1500
Ratio de las vueltas @ el 1:1±5%
Funcionamiento y temperatura de almacenamiento Temperatura de funcionamiento: 0°C a +70°C
Temperatura de almacenamiento: -25°C a +105°C